스퍼터나 PECVD로 서브마이크론의 박막증착 가능
i-라인 및 브로드 밴드 1X 얼라이너
앞뒤 정렬
4인치, 8인치, 12인치 공정
Ni, Ni alloy, Au, Cu, Sn, Rh용 EP 도금조
세라믹 및 실리콘 웨이퍼의 연마 공정
습식 식각 공정
건식(ICP) 식각 공정
멀티 레이어 동시 생산
멀티 레이어 배선을 사용한 채널 분기
멀티 레이어 배선 분기를 활용한 고파라 프로브 카드 구현
멀티 레이어 평탄도 개선
전도성 잉크를 이용한 인터커넥트 기술
소결을 통한 금속회로 전기적 연결
소형 비아: 15um 이상
C4 패드 피치 : 30um 이상
Low Contact Force : 1.45gf (@Force at OD 75um)
High CCC : 1,500mA (@ISMI)
Available Pitch : ≥ 50um
Long life cycle : ≥ 1,000,000TD
Pin Count : ≥30K
Ni 합금 도금 신기술을 이용해 신뢰도가 높은 성능 제공
MEMS Vertical Structure
Cu-Pillar Bump 및 BGA을 위한 다양한 프로브 솔루션
High Aspect Ratio : 6.5:1
열 신뢰성 보증: 균열, 박리 없음(@TSCT, 리플로우, 플로팅)
안정적인 전기적 특성 : ±10% 이내의 저항 변화(@Bare Board Test)